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BST82,215

更新时间:2025-06-15 04:42:41
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BST82,215外观图

BST82,215

NXP Semiconductors FET - 单

MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23

  • 封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BST82,215 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    TrenchMOS™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    190mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    10 欧姆 @ 150mA，5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    -
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    40pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    830mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装
    TO-236AB
  • 包装
    带卷 (TR)
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