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BC849C-TP

更新时间:2025-05-25 08:17:01
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BC849C-TP 规格参数
  • 产品培训模块
    Diode Handling and Mounting
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    500mV @ 5mA，100mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    420 @ 2mA，5V
  • 功率 - 最大
    225mW
  • 频率 - 转换
    100MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装
    SOT-23
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    BC849C-TPMSTR
BC849C-TP Datasheet数据手册 PDF下载
芯知识
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广东微尔科技有限公司
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