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BCW30LT1G

更新时间:2025-06-30 19:04:48
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BCW30LT1G外观图

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：32V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：215 @ 2mA，5V
  • 功率 - 最大：225mW
  • 频率 - 转换：-
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：BCW30LT1G-NDBCW30LT1GOSTR
BCW30LT1G 相关信息
  • BCW30LT1G的技术参数
    产品型号:BCW30LT1G类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):32集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):215直流电流增益hFE最大值(dB):500最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):－封装/温度(℃):SOT-23/-55~150价格/1片(套):￥.20 来源:零八我的爱
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