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BZX79-C18,143

更新时间:2025-07-04 13:10:42
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BZX79-C18,143外观图

BZX79-C18,143

NXP Semiconductors 单二极管/齐纳

DIODE VREG 18V 500MW DO-35

  • 封装:DO-204AH，DO-35，轴向
BZX79-C18,143 规格参数
  • 标准包装
    5,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    单二极管/齐纳
  • 系列
    -
  • 电压 - 齐纳（标称）(Vz)
    18V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）
    900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电
    50nA @ 12.6V
  • 容差
    ±5%
  • 功率 - 最大
    400mW
  • 阻抗（最大）(Zzt)
    45 欧姆
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    DO-204AH，DO-35，轴向
  • 供应商设备封装
    ALF2
  • 包装
    带盒（TB）
  • 工作温度
    -65°C ~ 200°C
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