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BZX84C3V9TA

更新时间:2025-05-27 23:32:14
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BZX84C3V9TA 规格参数
  • 制造商
    Diodes Inc.
  • 齐纳电压
    3.9 V
  • 电压容差
    5 %
  • 电压温度系数
    - 1.75 mV / C
  • 功率耗散
    350 mW
  • 最大反向漏泄电流
    3 uA
  • 最大齐纳阻抗
    90 Ohms
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    SOT-23
  • 封装
    Reel
  • 最小工作温度
    - 65 C
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