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C2M0280120D

更新时间:2025-07-06 21:09:38
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C2M0280120D 规格参数
  • 现有数量
    22,236现货
  • 系列
    Z-FET?
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    不适用于新设计
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）
    1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    10A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    370 毫欧 @ 6A，20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.8V @ 1.25mA（标准）
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    20.4 nC @ 20 V
  • Vgs（最大值）
    +25V，-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    259 pF @ 1000 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    62.5W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 供应商器件封装
    TO-247-3
  • 封装/外壳
    TO-247-3
芯知识
3.5万
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广东微尔科技有限公司
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