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CMT14N50N3P

更新时间:2025-05-25 19:12:01

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CMT14N50N3P 概述

CMT14N50N3P是由Champion Microelectronics Corp（冠军微电子）生产的一款高性能N沟道MOSFET。该器件采用先进的功率半导体工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关电源、DC-DC转换器及电机驱动等应用场合。在电源管理系统中，CMT14N50N3P能够有效降低功耗并提高效率，其最大漏源电压（Vds）为500V，连续漏极电流（Id）可达14A，在保证高可靠性的同时还能实现紧凑的设计方案。此款MOSFET非常适合于需要高压侧开关的应用，如家用电器、工业自动化设备中的逆变器电路等。使用时应注意合理选择栅极驱动电阻以优化开关速度与EMI性能，并确保散热设计满足热阻要求，避免过热损坏。建议在实际电路设计前参考官方数据手册获取详细的电气参数和封装信息。

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