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CSD17507Q5A

更新时间:2025-05-21 00:29:41
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CSD17507Q5A外观图

CSD17507Q5A

Texas Instruments FET - 单

MOSFET N-CH 30V 65A 8SON

  • 封装:8-PowerTDFN
CSD17507Q5A 规格参数
  • 产品培训模块
    NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件
    PowerStack? Packaging Technology Overview
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    NexFET™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    65A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    10.8 毫欧 @ 11A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    3.6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    530pF @ 15V
  • 功率 - 最大
    3W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装
    8-SON（5x6）
  • 包装
    Digi-Reel?
  • 其它名称
    296-27791-6
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广东微尔科技有限公司
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