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CSD18504Q5A

更新时间:2025-05-01 23:43:18
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  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：NexFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：50A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6.6 毫欧 @ 17A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：19nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1656pF @ 20V
  • 功率 - 最大：3.1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装：8-SON（5x6）
  • 包装：Digi-Reel?
  • 其它名称：296-30572-6
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广东微尔科技有限公司
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