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CSD19533Q5A

更新时间:2025-05-19 01:20:41

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深圳市昴泽电子有限公司
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深圳市创德丰电子有限公司
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严选现货= 现货+好口碑+品质承诺
带有此标记的料号：
1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了保证金，经维库认证中心严格审查。
2. 供应商承诺此料号是“现货”，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。
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TI
QFN/13+
一定原装房间现货

深圳市南科功率半导体有限公司
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认证现货
12000
NK/南科功率
DFN5X6/2025+520
--/专注替代/降本增效-

深圳市科昂电子集团有限公司
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认证现货
60000
TI
VSONP8/25+
原厂渠道商，可支持60天账期及180天承兑

杭州丹骏电子科技有限公司
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优势
5000
TI
-/21
原装100%

深圳市港深电子有限公司
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优势
5000
TI
VSONP8/21+
-

深圳市伟科芯电子科技有限公司
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优势
50000
TI
QFN/23+
原装现货

深圳市亚泰电子有限公司
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优势
3000
TI
VSONP8/-
原装公司现货

现代芯城（深圳）科技有限公司
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优势
74500
一级代理
NEW/NEW
一级代理保证

深圳市踊跃科技开发有限公司
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优势
2000
-
-/-
-

深圳市瀚芯宇电子科技有限公司
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优势
45000
TI/德州仪器
VSONP8/22+
原装现货实单有TP可谈

南方芯时代（深圳）科技有限公
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优势
35000
TI/德州仪器
/22+
主营TI，假一罚十

深圳市英德州科技有限公司
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优势
700
TI
VSONP8/21+
全新原装现货原盒原包

柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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优势
70000
TI
VSONP8/-
原装免费送样一站式元器件采购商城

深圳市先杰世纪科技有限公司
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优势
816
TI
VSONP8/18+
原装现货热卖中

上海熙铖电子科技有限公司
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优势
3000
-
-/-
-

深圳市念芯电子有限公司
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49350
TI
VSONP8/21+
只做原装，也只有原装

深圳市驰芯世纪电子有限公司
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1
接货收货
SMD/2025+
全系列收丨高效率接

深圳市芯福林电子科技有限公司
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3000
TI/德州仪器
20+/VSONP8
香港现货，优势支持

深圳市港深电子有限公司
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65000
TI
VSONP8/21+
原装现货，市场价格

深圳市杰兴伟业电子有限公司
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TDA7388 国
300000
TI(德州仪器)
VSONP8/23+
一级代理商可提供技术方案支持

深圳市芊诚科技电子有限公司
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86222
TI/德州仪器
(DQJ)/2024+
一站式BOM配单,原厂代理渠道现货商。

深圳市兴中芯科技有限公司
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30000
TI
8PowerTDFN/24+
全新原装，现货库存。假一罚十

深圳市博信盛科技有限公司
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4000
TI
VSONP8/21+
原装现货报价当天为准

深圳市深创辉科技有限公司
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6000
TI
N/A/2024+
原装，BOM一站式服务

深圳市瑞新盛科技有限公司
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20000
TI
NA/18+
原装正品

深圳市博伟奇电子有限公司
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12260
-
TSSOP/23+
高品质优选好芯

深圳市科翼源电子有限公司
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1099
TI/德州仪器
SON8/24+
原厂原装现货

深圳市龙源达微电子有限公司
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36950
TI
VSONP8/21+22+
N沟道 100V 100A场效应管(MOSFET)类型N沟道漏源

深圳市华鸿芯科技有限公司
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9000
TI
QFN/23+
原装现货

深圳市岳泰达电子有限公司
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12500
TI(德州仪器)
VSONP8/24+
16年老牌企业原装低价现货

深圳市优尚半导体科技有限公司
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5000
-
TSSOP/23+
优势产品大量库存原装现货

深圳市永贝尔半导体有限公司
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9200
-
TSSOP/23+
只做原装更多数量在途订单

深圳市科圳威电子有限公司
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TI
8PowerTDFN/24+
深圳原装现货，可看货可提供拍照

深圳市华睿芯科技有限公司
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TI/德州仪器
VSONP8/2024+
原厂原装，现货，代理渠道，支持订货

深圳市毅创辉电子科技有限公司
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51300
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VSONP8/24+
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深圳市伟科芯电子科技有限公司
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52000
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深圳诚思涵科技有限公司
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深圳市赛美科科技有限公司
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12560
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CSD19533Q5A 概述

**芯片概述：** CSD19533Q5A是由Texas Instruments（德州仪器）生产的一款N沟道增强型MOSFET，采用小型化的SON 5mm²封装，具有极低的导通电阻。该器件设计用于高效电源管理应用，在紧凑空间内提供高电流处理能力。它特别适合于同步整流、负载开关和DC-DC转换器等需要快速开关速度和低功耗的应用场景。典型应用场景包括消费类电子产品如智能手机和平板电脑的电源管理系统，以及工业设备中的高效电源转换模块。在实际应用中，建议关注PCB布局以确保最佳散热性能，避免因过热导致的性能下降。由于其超低的栅极电荷特性，可以显著降低驱动损耗，提高整体系统效率。电路设计时需确保栅极驱动电压在规定范围内，防止损坏MOSFET或影响其正常工作。查询更多详细信息，可参考TI官方技术文档获取完整的电气特性参数及应用指南。

CSD19533Q5A 规格参数

现有数量
0现货查看交期
系列
NexFET?
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.4 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2670 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.2W（Ta），96W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-VSONP（5x6）
封装/外壳
8-PowerTDFN

芯知识

8.8万

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广东微尔科技有限公司

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