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CSD87312Q3E

更新时间:2025-05-02 23:47:44
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CSD87312Q3E的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

CSD87312Q3E外观图

  • 现有数量：2,923现货10,000Factory
  • 价格：1 : ￥12.40000剪切带（CT）2,500 : ￥6.32017卷带（TR）
  • 系列：NexFET?
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 配置：2 N 沟道（双）共源
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：27A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：33 毫欧 @ 7A，8V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8.2nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1250pF @ 15V
  • 功率 - 最大值：2.5W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装/外壳：8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装：8-VSON（3.3x3.3）
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广东微尔科技有限公司
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