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CSD88539ND

更新时间:2025-05-02 17:11:10
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MAX1487ECSAPC-17K11PS79SB31AP2306GN-HFSI3443DV-T1-E3MMBR941LT1GMMBTA55LT1GTPS54527DDAR
CSD88539ND的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

CSD88539ND外观图

  • 现有数量：3,621现货
  • 价格：1 : ￥7.15000剪切带（CT）2,500 : ￥2.87389卷带（TR）
  • 系列：NexFET?
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 配置：2 N-通道（双）
  • FET 功能：-
  • 漏源电压（Vdss）：60V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：28 毫欧 @ 5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9.4nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：741pF @ 30V
  • 功率 - 最大值：2.1W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装：8-SOIC
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广东微尔科技有限公司
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