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DE150-501N04A

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    资质: 金牌会员8年 、营业执照

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    深圳市亿芯航电子科技有限公司

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    联系人:张先生/刘先生

    地址:深圳市 福田区 上步工业区 101栋 568室

    资质: 金牌会员8年 、营业执照

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  • 西安市聚华伟业电子经营部

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  • 深圳市正天蓝科技有限公司

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  • 深圳市安瑞尔科技有限公司

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DE150-501N04APDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 大小:77.26KB
  • 厂家:ETC [ETC]
  • 描述:N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Low Qg and Rg High dv/dt Nanosecond Switching RF Power MOSFET
  • 晶体管类型::RF MOSFET
  • 电压, Vds 最大::500V
  • 电流, Id 连续::4.5A
  • 功耗, Pd::200W
  • 工作温度范围::-55°C 到 +175°C
  • 封装类型::DE150
  • 针脚数::6
  • 上升时间::4ns
  • 功率, Pd::200W
  • 在电阻RDS(上)::1.5ohm
  • 封装类型::150
  • 晶体管极性::?频道
  • 最大功耗::200W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量::15V
  • 电压, Vds 典型值::500V
  • 电容值, Ciss 典型值::700pF
  • 阈值电压, Vgs th 典型值::3V
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