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DI9400T

更新时间:2025-05-24 00:15:20
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DI9400T 规格参数
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    3.4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    130 毫欧 @ 1A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.8V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    350pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    2.5W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-TSOP（0.130"，3.30mm 宽）
  • 供应商设备封装
    8-SO
  • 包装
    剪切带 (CT)
  • 其它名称
    DI9400DI9400CT
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