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DMG4435SSS-13

更新时间:2025-05-15 19:53:36
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DMG4435SSS-13 规格参数
  • 标准包装
    2,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    7.3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    16 毫欧 @ 11A，20V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    35.4nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1614pF @ 15V
  • 功率 - 最大
    1.3W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装
    8-SOP
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    DMG4435SSS-13DITR
芯知识
1.8万
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广东微尔科技有限公司
黄金展位供应商

  • 电话：0755-82567073
    深圳市中元伟业电子商行
    QQ:809968062

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