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DMG4468LK3-13

更新时间:2025-05-16 13:10:43

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市优尚半导体科技有限公司
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诚信经营，提供BOM一站式配单服务
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深圳市富楷科技有限公司
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深圳市汇芯诚电子科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市中元伟业电子商行
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7500
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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Diodes
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原装特价提供样品

深圳市赛美科科技有限公司
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深圳市港深电子有限公司
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深圳市杰兴伟业电子有限公司
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深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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深圳市正纳电子有限公司
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深圳市捷立辉科技有限公司
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场效应管(MOSFET)N沟道 30V 9.7A类型N沟道漏源电

深圳市科鑫美电子有限公司
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低价出售原装现货可看货假一罚十

深圳市科圳威电子有限公司
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深圳市君云达电子科技有限公司
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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深圳市特莱科技有限公司
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一级供应商十三年品牌专营

深圳市晶美隆科技有限公司
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假一罚十，原装进口现货供应，只做原装

深圳市港博科电子有限公司
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100000
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提供一站式配单服务

深圳市优尚半导体科技有限公司
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5000
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TO252/23+
优势产品大量库存原装现货

深圳市跃创芯科技有限公司
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25000
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只有原装原装，支持BOM配单

深圳市安富世纪电子有限公司
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105000
DIODES/美台
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终端可以免费供样，支持BOM配单

现代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市威雅利发展有限公司
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深圳市万佳电子贸易有限公司
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852200
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深圳中和芯电子有限公司
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只做现货，一站式配单

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DMG4468LK3-13 概述

DMG4468LK3-13是Diodes Incorporated生产的一款N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，适合表面贴装应用。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，使其在高效电源管理和电池供电设备中表现出色。其最大漏源电压（Vds）为30V，连续漏极电流（Id）可达4.2A，适用于负载开关、DC-DC转换器和电机驱动等应用。由于其紧凑的尺寸和优良的电气性能，DMG4468LK3-13广泛应用于便携式电子产品、工业控制及自动化设备中。设计时应注意保持栅极驱动电压足够高以确保低导通电阻，同时避免过高的电压损坏栅极氧化层。在实际电路设计中，推荐使用适当的散热措施以保证长期稳定运行。

DMG4468LK3-13 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
9.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
16 毫欧 @ 11.6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1.95V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
18.85nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
867pF @ 15V
功率 - 最大
1.68W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
TO-252-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
DMG4468LK3-13DITR

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