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DMG6402LDM-7

更新时间:2025-05-03 02:18:05
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DMG6402LDM-7的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

DMG6402LDM-7外观图

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5.3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：27 毫欧 @ 7A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：9.2nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：404pF @ 15V
  • 功率 - 最大：1.12W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-23-6
  • 供应商设备封装：SOT-26
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：DMG6402LDM-7DITR
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