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DMG6602SVT-7

更新时间:2025-05-08 13:11:43
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ADM708ARPRIXP422ABB2SK508-T1BBS107FDS6630AAD1250ARZUC3843BNGLBAT54HT1G
DMG6602SVT-7的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：-
  • FET 型：N 和 P 沟道
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.4A，2.8A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：60 毫欧 @ 3.1A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：400pF @ 15V
  • 功率 - 最大：1.12W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
  • 供应商设备封装：TSOT-23-6
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：DMG6602SVT-7DITR
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