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DMG6602SVT-7

更新时间:2025-05-16 01:54:58
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DMG6602SVT-7 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    -
  • FET 型
    N 和 P 沟道
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    3.4A，2.8A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    60 毫欧 @ 3.1A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    13nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    400pF @ 15V
  • 功率 - 最大
    1.12W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
  • 供应商设备封装
    TSOT-23-6
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    DMG6602SVT-7DITR
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