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DMN2065UW-7

更新时间:2025-05-08 15:23:51
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MSP430G2332IPW20RBAS70-04SA57022-50D8205SMIC94063YMTK5L2866ATA-AF66P6SMB43AKTC3207
DMN2065UW-7的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

DMN2065UW-7外观图

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.8A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：56 毫欧 @ 2A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：5.4nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：400pF @ 10V
  • 功率 - 最大：430mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SC-70，SOT-323
  • 供应商设备封装：SOT-323
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：DMN2065UW-7DITR
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