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DMN4009LK3-13

更新时间:2025-05-09 03:35:55
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DMN4009LK3-13外观图

  • 大小：660.24KB
  • 厂家：DIODES
  • 描述：40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8.5 毫欧 @ 14A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：21nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2072pF @ 20V
  • 功率 - 最大：2.19W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：TO-252-3
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：DMN4009LK3-13DITR
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