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DMN55D0UT-7

更新时间:2025-05-08 20:17:44
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DMN55D0UT-7的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

DMN55D0UT-7外观图

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：160mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4 欧姆 @ 100mA，4V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：25pF @ 10V
  • 功率 - 最大：200mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-523
  • 供应商设备封装：SOT-523
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：DMN55D0UTDITR
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