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DMN62D0LFB-7B

更新时间:2025-07-01 08:26:43
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KIA317PIPZT2907AT1GMCP6022-I/SNAMS1117-2.5VTRS3232EIDBRSMAJ51CAH5PS1G63EFR-G7CTOTX177L
DMN62D0LFB-7B的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 标准包装：10,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：100mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2 欧姆 @ 100mA，4V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：0.45nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：32pF @ 25V
  • 功率 - 最大：470mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：3-UFDFN
  • 供应商设备封装：3-X1DFN1006
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：DMN62D0LFB-7BDITR
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广东微尔科技有限公司
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