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DMS2220LFDB-7

更新时间:2025-07-01 16:23:32
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DMS2220LFDB-7外观图

  • 大小：134.04KB
  • 厂家：DIODES
  • 描述：P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SBR SUPER BARRIER RECTIFIER
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：二极管（隔离式）
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：95 毫欧 @ 2.8A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：632pF @ 10V
  • 功率 - 最大：1.4W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装：6-DFN2020B（2x2）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：DMS2220LFDBDITR
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