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1N4154 Datasheet

  • 1N4154

  • SiliSilicon Epitaxial Planar Diode

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  • Vishay   Vishay

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1N4154
Vishay Telefunken
Silicon Epitaxial Planar Diode
Applications
Extreme fast switches
94 9367
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25
_
C
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Reverse voltage
Peak forward surge current
Repetitive peak forward current
Forward current
Average forward current
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
Type
Symbol
V
RRM
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
I
FAV
P
V
P
V
T
j
T
stg
Value
35
25
2
500
300
150
440
500
175
鈥?5...+175
Unit
V
V
A
mA
mA
mA
mW
mV
掳
C
掳
C
t
p
=1
m
s
V
R
=0
l=4mm, T
L
=45
掳
C
l=4mm, T
L
25
掳
C
x
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25
_
C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
l=4mm, T
L
=constant
Symbol
R
thJA
Value
350
Unit
K/W
Document Number 85524
Rev. 2, 01-Apr-99
www.vishay.de
鈥?/div>
FaxBack +1-408-970-5600
1 (4)

1N4154 产品属性

  • 2,000

  • 分离式半导体产品

  • 单二极管/整流器

  • -

  • 标准

  • 35V

  • 100mA

  • 1V @ 30mA

  • 小信号 =

  • 4ns

  • 100nA @ 25V

  • 4pF @ 0V，1MHz

  • 通孔

  • DO-204AH，DO-35，轴向

  • DO-35

  • 散装

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    版本
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