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2SC5338 Datasheet

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DATA
DATA
PRELIMINARY
SHEET
SHEET
Silicon Transistor
2SC5338
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
DESCRIPTION
The 2SC5338 is designed for a low distortion and low noise RF amplifier with an operation on the low supply
voltage (V
CE
= 5 V). This low distortion characteristics is suitable for the CATV, tele-communication, and such.
FEATURES
鈥?/div>
PACKAGE DIMENSIONS
(in millimeters)
4.5卤0.1
1.6卤0.2
1.5卤0.1
High gain
|S
21
| = 10 dB TYP., @V
CE
= 5 V, Ic = 50 mA, f = 1 GHz
2
鈥?/div>
Low distortion and low voltage
IM
2
=
鈭?5
dB TYP., IM
3
=
鈭?6
dB TYP.
@V
CE
= 5 V, Ic = 50 mA, V
in
= 105 dB
碌
V/75
鈩?/div>
鈥?/div>
gain-improved on the 2SC4703
E
0.8 MIN.
C
B
E
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 掳C)
Parameter
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
stg
Note1
Rating
25
12
2.5
150
1.8
150
鈥?5 to +150
Unit
V
V
V
mA
W
掳C
掳C
0.42
卤0.06
1.5
3.0
0.46
卤0.06
0.42
卤0.06
3.95卤0.25
New power mini-mold package version of a 4-pin type
2.45卤0.1
0.25卤0.02
PIN CONNECTIONS
E: Emitter
C: Collector
B: Base
Note 1.
0.7 mm
脳
16 cm double sided ceramic substrate (Copper plaiting)
2
Document No. P10940EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published April 1996 P
Printed in Japan
漏
1996

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  • 型号
    版本
    描述
    厂商
    下载
  • 2SC503
    英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-39
    ETC
    2SC503
  • 2SC504
    英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-39
    ETC
    2SC504
  • 2SC505
    英文版
    High Voltage Transistors
    ETC
    2SC505
  • 2SC505
    英文版
    High Voltage Transistors
    ETC [ETC]
    2SC505
  • 2SC506
    英文版
    High Voltage Transistors
    ETC
    2SC506
  • 2SC506
    英文版
    High Voltage Transistors
    ETC [ETC]
    2SC506
  • 2SC507
    英文版
    High Voltage Transistors
    ETC
    2SC507
  • 2SC507
    英文版
    High Voltage Transistors
    ETC [ETC]
    2SC507
  • 2SC508
    英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
    2SC508
  • 2SC510
    英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-39
    ETC
    2SC510
  • 2SC512
    英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-39
    ETC
    2SC512
  • 2SC515
    英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
    2SC515
  • 2SC517
    英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-37
    ETC
    2SC517
  • 2SC522
    英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-37VA...
    ETC
    2SC522
  • 2SC524
    英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-37VAR
    ETC
    2SC524
  • 2SC526
    英文版
    ETC [High Voltage Transistors]
    ETC
    2SC526
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    英文版
    Silicon NPN Triple Diffused
    hitachi
    2SC535
  • 2SC536
    英文版
    TRANSISTOR (NPN)
    ETC
    2SC536
  • 2SC536
    英文版
    TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
    江苏长电
    2SC536
  • 2SC537
    英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 100MA I(C) | TO-106VAR
    ETC
    2SC537

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