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2SK2482 Datasheet

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  • MOS Field Effect Transistor

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  • NEC

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DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK2482
SWITCHING
N-CHANNEL POWER MOS FET
INDUSTRIAL USE
DESCRIPTION
The 2SK2482 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed
for high voltage switching applications.
PACKAGE DIMENSIONS
(in millimeter)
4.7 MAX.
1.5
FEATURES
鈥?/div>
Low On-Resistance
R
DS (on)
= 4.0
鈩?/div>
(V
GS
= 10 V, I
D
= 3.0 A)
1.0
15.7 MAX.
4
3.2卤0.2
1
2
3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 藲C)
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (pulse)*
Total Power Dissipation (T
c
= 25 藲C)
Total Power Dissipation (T
A
= 25 藲C)
Channel Temperature
Storage Temperature
Single Avalanche Current**
Single Avalanche Energy**
*
PW
鈮?/div>
10
碌
s, Duty Cycle
鈮?/div>
1 %
V
DSS
V
GSS
I
D (DC)
I
D (pulse)
P
T1
P
T2
T
ch
T
stg
I
AS
E
AS
900
卤30
卤5.0
卤12
100
3.0
150
5.0
73.5
V
V
A
A
W
W
藲C
A
mJ
19 MIN.
3.0卤0.2
2.2卤0.2
5.45
1.0卤0.2
5.45
4.5卤0.2
鈥?/div>
Low C
iss
C
iss
= 900 pF TYP.
鈥?/div>
High Avalanche Capability Ratings
20.0卤0.2
6.0
0.6卤0.1
2.8卤0.1
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
MP-88
Drain
鈥?5 to +150 藲C
**
Starting T
ch
= 25 藲C, R
G
= 25
鈩?
V
GS
= 20 V
鈫?/div>
0
Gate
Body
Diode
Source
Document No. D10274EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published August 1995 P
Printed in Japan
漏
7.0
1995

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  • 型号
    版本
    描述
    厂商
    下载
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    英文版
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    ETC
    2SK25
  • 2SK208
    英文版
    GENERAL PURPOSE AND IMPEDANCE CONVERTER AND CONDENSER MICROP...
    Toshiba
    2SK208
  • 2SK209
    英文版
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    2SK209
  • 2SK210
    英文版
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    2SK210
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    FM TUNER APPLICATIONS VHF BAND AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
    2SK211
  • 2SK212
    英文版
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    Sanyo
    2SK212
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    hitachi
    2sk213
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    HITACHI
    2SK214
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    HITACHI [H...
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    HITACHI [H...
    2SK215
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    2SK216
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    HITACHI [H...
    2SK216
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