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2SK2983 Datasheet

  • 2SK2983

  • MOS Field Effect Transistor

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  • NEC

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DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK2983
SWITCHING
N-CHANNEL POWER MOS FET
INDUSTRIAL USE
DESCRIPTION
This product is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching application.
FEATURES
鈥?/div>
Low on-resistance
R
DS(on)1
= 20 m鈩?/div>
(MAX.)
(V
GS
= 10 V, I
D
= 15 A)
R
DS(on)2
= 27 m鈩?/div>
(MAX.)
(V
GS
= 4.5 V, I
D
= 15 A)
鈥?/div>
Low C
iss
C
iss
= 1200 pF TYP.
鈥?/div>
Built-in gate protection diode
ORDERING INFOMATION
PART NUMBER
2SK2983
2SK2983-S
2SK2983-ZJ
PACKAGE
TO-220AB
TO-262
TO-263
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 掳C)
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (pulse)
Note3
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D(DC)
I
D(pulse)
P
T
P
T
T
ch
T
stg
30
卤20
卤30
卤120
1.5
50
150
鈭?5
to +150
V
V
A
A
W
W
掳C
掳C
Note2
Total Power Dissipation (T
A
= 25掳C)
Total Power Dissipation (T
C
= 25掳C)
Channel Temperature
Storage Temperature
Notes1.
V
GS
= 0 V
2.
V
DS
= 0 V
3.
PW
鈮?/div>
10
碌
s, Duty Cycle
鈮?/div>
1 %
.
The information in this document is subject to change without notice.
Document No. D12357EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published October 1998 NS CP (K)
Printed in Japan
漏
1998

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  • 型号
    版本
    描述
    厂商
    下载
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    ETC
    2SK25
  • 2SK208
    英文版
    GENERAL PURPOSE AND IMPEDANCE CONVERTER AND CONDENSER MICROP...
    Toshiba
    2SK208
  • 2SK209
    英文版
    AUDIO FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
    2SK209
  • 2SK210
    英文版
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    Toshiba
    2SK210
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    英文版
    FM TUNER APPLICATIONS VHF BAND AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
    2SK211
  • 2SK212
    英文版
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    Sanyo
    2SK212
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    2sk213
  • 2SK214
    英文版
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    HITACHI
    2SK214
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    HITACHI [H...
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    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
    2SK215
  • 2SK215
    英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
    2SK215
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    英文版
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    HITACHI [H...
    2SK216
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    Silicon NPN Triple Diffused
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