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2SK3314 Datasheet

  • 2SK3314

  • HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS

  • 286.40KB

  • Toshiba

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2SK3314
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (蟺鈭扢OSV)
2SK3314
Chopper Regulator, DC鈭扗C Converter Applications
Motor Drive Applications
l
Fast reverse recovery time
l
Low drain鈭抯ource ON resistance
l
High forward transfer admittance
l
Low leakage current
l
Enhancement鈭抦ode
: t
rr
= 105 ns (typ.)
: R
DS (ON)
= 0.35
鈩?/div>
(typ.)
: |Y
fs
| = 9.9 S (typ.)
l
Built鈭抜n high鈭抯peed free鈭抴heeling diode
Unit: mm
: I
DSS
= 100 碌A (max) (V
DS
= 500 V)
: V
th
= 2.0~4.0 V (V
DS
= 10 V, I
D
= 1 mA)
Maximum Ratings
(Ta = 25掳C)
Characteristics
Drain鈭抯ource voltage
Drain鈭抔ate voltage (R
GS
= 20 k鈩?
Gate鈭抯ource voltage
Drain current
DC
(Note 1)
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
stg
Rating
500
500
卤30
15
60
150
630
15
15
150
鈭?5~150
Unit
V
V
V
A
A
W
mJ
A
mJ
掳C
掳C
1. GATE
2. DRAIN (HEAT SINK)
3. SOURCE
Pulse (Note 1)
Drain power dissipation (Tc
=
25掳C)
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
Avalanche current
Repetitive avalanche energy (Note 3)
Channel temperature
Storage temperature range
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
鈥?/div>
2-16C1B
Weight: 4.6 g (typ.)
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal resistance, channel to case
Thermal resistance, channel to
ambient
Symbol
R
th (ch鈭抍)
R
th (ch鈭抋)
Max
0.833
50
Unit
掳C / W
掳C / W
Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature is below 150掳C.
Note 2: V
DD =
90 V, T
ch
= 25掳C (initial), L = 4.76 mH, R
G
= 25
鈩?
I
AR
= 15 A
Note 3: Repetitive rating; Pulse width limited by maximum channel temperature.
This transistor is an electrostatic sensitive device.
Please handle with caution.
1
2002-01-25

2SK3314 产品属性

  • 50

  • 分离式半导体产品

  • FET - 单

  • -

  • MOSFET N 通道，金属氧化物

  • 标准型

  • 500V

  • 15A

  • 490 毫欧 @ 7A，10V

  • 4V @ 1mA

  • 58nC @ 10V

  • 2600pF @ 10V

  • 150W

  • 通孔

  • TO-3P-3，SC-65-3

  • TO-3P（N）

  • 管件

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