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2SK3561(Q) Datasheet

  • 2SK3561(Q)

  • MOSFET;N-Ch;VDSS 500V;RDS(ON) 0.75 Ohm;ID 8A;2-10U1B;PD 40W;...

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  • Toshiba

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2SK3561
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (蟺-MOSVI)
2SK3561
Switching Regulator Applications
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Low drain-source ON resistance: R
DS (ON)
= 0.75惟 (typ.)
High forward transfer admittance: |Y
fs
| = 6.5S (typ.)
Low leakage current: I
DSS
= 100
渭A
(V
DS
= 500 V)
Enhancement mode: V
th
= 2.0~4.0 V (V
DS
= 10 V, I
D
= 1 mA)
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta
=
25掳C)
Characteristics
Drain-source voltage
Drain-gate voltage (R
GS
=
20 k鈩?
Gate-source voltage
DC
Drain current
(Note 1)
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
stg
Rating
500
500
卤30
8
32
40
312
8
4
150
-55~150
A
W
mJ
A
mJ
掳C
掳C
1: Gate
2: Drain
3: Source
Unit
V
V
V
Pulse (t
=
1 ms)
(Note 1)
Drain power dissipation (Tc
=
25掳C)
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
Avalanche current
Repetitive avalanche energy (Note 3)
Channel temperature
Storage temperature range
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
SC-67
2-10U1B
Weight : 1.7 g (typ.)
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal resistance, channel to case
Thermal resistance, channel to ambient
Symbol
R
th (ch-c)
R
th (ch-a)
Max
3.125
62.5
Unit
2
掳C/W
掳C/W
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150鈩?
Note 2: V
DD
=
90 V, T
ch
=
25掳C(initial), L
=
8.3 mH, I
AR
=
8 A, R
G
=
25
鈩?/div>
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Please handle with caution.
3
1
1
2005-01-26

2SK3561(Q) 产品属性

  • Toshiba

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 500 V

  • 30 V

  • 8 A

  • 0.85 Ohms

  • Single

  • SMD/SMT

  • TO-220 NIS

  • Reel

  • 70 ns

  • 400 W

  • 70 ns

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