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BC847S Datasheet

  • BC847S

  • NPN Silicon AF Transistor Array

  • 156.12KB

  • Infineon   Infineon

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BC 847S
NPN Silicon AF Transistor Array
鈥?/div>
For AF input stages and driver applications
鈥?/div>
High current gain
鈥?/div>
Low collector-emitter saturation voltage
鈥?/div>
Two ( galvanic) internal isolated Transistors
with high matching in one package
Type
BC 847S
Marking
1Cs
Ordering Code
Q62702-C2372
Pin Configuration
1/4=E1/E2
2/5=B1/B2
3/6=C2/C1
Package
SOT-363
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
DC collector current
Peak collector current
Total power dissipation,
T
S
= 115 掳C
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
Value
45
50
50
6
100
200
250
150
- 65...+150
mW
掳C
mA
Unit
V
V
CEO
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
P
tot
T
j
T
stg
Thermal Resistance
Junction ambient
1)
Junction - soldering point
R
thJA
R
thJS
鈮?75
鈮?40
K/W
1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm 2 Cu
Semiconductor Group
1
May-12-1998

BC847S PDF文件相关型号

Q62702-C2372

BC847S 产品属性

  • 3,000

  • 分离式半导体产品

  • 晶体管(BJT) - 阵列

  • -

  • 2 NPN（双）

  • 200mA

  • 45V

  • 650mV @ 5mA，100mA

  • -

  • 110 @ 2mA，5V

  • 300mW

  • 200MHz

  • 表面贴装

  • 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

  • SC-70-6

  • 带卷 (TR)

  • BC847S-NDBC847STR

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  • 型号
    版本
    描述
    厂商
    下载
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    BC846
  • BC846
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    INFINEON
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    FAIRCHILD
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    PHILIPS
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