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CEP10N6 Datasheet

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CEP10N6/CEB10N6
PRELIMINARY
4
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
600V , 10A , R
DS(ON)
=1
鈩?/div>
@V
GS
=10V.
Super high dense cell design for extremely low R
DS(ON)
.
High power and current handling capability.
TO-220 & TO-263 package.
D
G
D
G
G
D
S
S
CEB SERIES
TO-263(DD-PAK)
CEP SERIES
TO-220
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc=25 C unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current-Continuous
-Pulsed
Drain-Source Diode Forward Current
Maximum Power Dissipation
@Tc=25 C
Derate above 25 C
Operating and Storage Temperautre Range
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
STG
Limit
600
30
10
30
10
156
1.25
-55 to 150
Unit
V
V
A
A
A
W
W/ C
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
R
JC
R
JA
4-172
0.8
62.5
C/W
C/W

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  • 型号
    版本
    描述
    厂商
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    CEP123
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    SUMIDA
    CEP124
  • CEP125
    英文版
    Sumida Corporation [POWER INDUCTORS (SMD Type)]
    SUMIDA
    CEP125
  • CEP126
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    SUMIDA
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