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DEMD48-7 Datasheet

IC型号：
DEMD48-7
PDF描述：
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biase...
文件大小：
266.00KB
PDF页数：
4页

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DEMD48-7 产品属性

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
系列
-
晶体管类型
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）
47k，2.2k
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）
47k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
80 @ 5mA，5V / 100 @ 10mA，5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
150mV @ 500µA，10mA / 100mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大）
1µA
频率 - 转换
-
功率 - 最大
300mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商设备封装
SOT-563
包装
带卷 (TR)
其它名称
DEMD48-7-NDDEMD48DITR

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型号

版本

描述

厂商

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DEMD48-7

英文版

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biase...

DEMD48-7

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