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IC Datasheet频道、中国IC资料网

DMG263010R Datasheet

IC型号：
DMG263010R
PDF描述：
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biase...
文件大小：
130.00KB

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DMG263010R 产品属性

数据列表
DMG26301 View All Specifications
标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
系列
-
晶体管类型
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）
10k
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）
10k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
35 @ 5mA，10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
250mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大）
500nA
频率 - 转换
-
功率 - 最大
300mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-74A，SOT-753
供应商设备封装
Mini5-G3-B
包装
带卷 (TR)
其它名称
DMG263010R-NDDMG263010RTR

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型号

版本

描述

厂商

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