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EMB51T2R Datasheet

IC型号：
EMB51T2R
PDF描述：
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual...
文件大小：
1012.00KB
PDF页数：
7页

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EMB51T2R 产品属性

现有数量
0现货查看交期
价格
1 : ￥3.74000剪切带（CT）8,000 : ￥0.63708卷带（TR）
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
晶体管类型
2 个 PNP 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
30mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V
电阻器 - 基极 (R1)
22 千欧
电阻器 - 发射极 (R2)
22 千欧
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
60 @ 5mA，10V
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）
150mV @ 500μA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
频率 - 跃迁
250MHz
功率 - 最大值
150mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
EMT6

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EMB51T2R

英文版

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual...

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