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IC Datasheet频道、中国IC资料网

FC6943010R Datasheet

IC型号：
FC6943010R
PDF描述：
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A SSMINI6
文件大小：
130.00KB

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FC6943010R 产品属性

数据列表
FC694301 View All Specifications
标准包装
8,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
-
FET 型
2 个 N 沟道（双）
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
100mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
8 欧姆 @ 10mA，4V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 1µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) @ Vds
12pF @ 3V
功率 - 最大
125mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商设备封装
SSMini6-F3-B
包装
带卷 (TR)
其它名称
FC6943010R-NDFC6943010RTR

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型号

版本

描述

厂商

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FC6943010R

英文版

MOSFET 2N-CH 30V 0.1A SSMINI6

FC6943010R
FC6946010R

英文版

MOSFET 2N-CH 60V 0.1A SSMINI6

FC6946010R

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