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IC Datasheet频道、中国IC资料网

IKW30N60T数据手册封面

IKW30N60T Datasheet

IC型号：
IKW30N60T
PDF描述：
Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology w...
文件大小：
397.74KB
PDF页数：
13 Pages页
芯片厂家：
INFINEON [Infineon Technologies AG]

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IKW30N60T PDF文件相关型号

Q67040S4717

IKW30N60T 产品属性

数据列表
IKW30N60T
标准包装
240
类别
分离式半导体产品
家庭
IGBT - 单路
系列
TrenchStop™
IGBT 类型
沟道和场截止
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
2.05V @ 15V，30A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
60A
功率 - 最大
187W
输入类型
标准型
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商设备封装
PG-TO247-3
包装
管件
其它名称
SP000054887

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IKW30N60T

英文版

Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology w...

IKW30N60T
IKW30N60T

英文版

Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology w...

INFINEON [...

IKW30N60T

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