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IRFP350 Datasheet

  • IRFP350

  • 16A, 400V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET

  • 57.28KB

  • Intersil

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IRFP350
Data Sheet
July 1999
File Number
2319.4
16A, 400V, 0.300 Ohm, N-Channel
Power MOSFET
This N-Channel enhancement mode silicon gate power 铿乪ld
effect transistor is an advanced power MOSFET designed,
tested, and guaranteed to withstand a speci铿乪d level of
energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of
these power MOSFETs are designed for applications such
as switching regulators, switching convertors, motor drivers,
relay drivers, and drivers for high power bipolar switching
transistors requiring high speed and low gate drive power.
These types can be operated directly from integrated
circuits.
Formerly developmental type TA17434.
Features
鈥?16A, 400V
鈥?r
DS(ON)
= 0.300鈩?/div>
鈥?Single Pulse Avalanche Energy Rated
鈥?SOA is Power Dissipation Limited
鈥?Nanosecond Switching Speeds
鈥?Linear Transfer Characteristics
鈥?High Input Impedance
鈥?Related Literature
- TB334 鈥淕uidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards鈥?/div>
Ordering Information
PART NUMBER
IRFP350
PACKAGE
TO-247
BRAND
IRFP350
Symbol
D
NOTE: When ordering, include the entire part number.
G
S
Packaging
JEDEC STYLE TO-247
TOP VIEW
SOURCE
DRAIN
GATE
DRAIN
(FLANGE)
4-335
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.
http://www.intersil.com or 407-727-9207
|
Copyright
漏
Intersil Corporation 1999

IRFP350 产品属性

  • IRFP350

  • 500

  • 分离式半导体产品

  • FET - 单

  • -

  • MOSFET N 通道，金属氧化物

  • 标准型

  • 400V

  • 16A

  • 300 毫欧 @ 9.6A，10V

  • 4V @ 250µA

  • 150nC @ 10V

  • 2600pF @ 25V

  • 190W

  • 通孔

  • TO-247-3

  • TO-247-3

  • 管件

  • *IRFP350

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