IRFR110 Datasheet

IC型号：
IRFR110
PDF描述：
4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
文件大小：
60.04KB
芯片厂家：
Intersil

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IRFR110, IRFU110

Data Sheet

July 1999

File Number

3275.3

4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power

MOSFETs

These are N-Channel enhancement mode silicon gate

power 铿乪ld effect transistors designed, tested, and

guaranteed to withstand a speci铿乪d level of energy in the

breakdown avalanche mode of operation. These advanced

power MOSFETs are designed for use in applications such

as switching regulators, switching converters, motor drivers,

relay drivers and drivers for high-power bipolar switching

transistors requiring high speed and low gate-drive power.

These transistors can be operated directly from integrated

circuits.

Formerly developmental type TA17441.

Features

鈥?4.7A, 100V

鈥?r

DS(ON)

= 0.540鈩?/div>

鈥?Single Pulse Avalanche Energy Rated

鈥?SOA is Power Dissipation Limited

鈥?Nanosecond Switching Speeds

鈥?Linear Transfer Characteristics

鈥?High Input Impedance

鈥?175

C Operating Temperature

鈥?Related Literature

- TB334 鈥淕uidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards鈥?/div>

Ordering Information

PART NUMBER

IRFU110

IRFR110

PACKAGE

TO-251AA

TO-252AA

BRAND

IFU110

IFR110

Symbol

NOTE: When ordering, use the entire part number.

Packaging

JEDEC TO-251AA

SOURCE

DRAIN

GATE

JEDEC TO-252AA

GATE

SOURCE

DRAIN (FLANGE)

4-371

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.

http://www.intersil.com or 407-727-9207

漏

Intersil Corporation 1999

IRFR110 PDF文件相关型号

IRFU110

IRFR110 产品属性

数据列表
IRFR110, SiHRF110
标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
540 毫欧 @ 2.6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
8.3nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
180pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
管件
其它名称
*IRFR110

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型号

版本

描述

厂商

下载
IRFR

英文版

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.21ohm, Id=9.4A)

IRF [Internatio...

IRFR
IRFR010

英文版

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRFR010
IRFR010

英文版

AVALANCHE AND dv/dt RATED

IRF

IRFR010
IRFR010

英文版

N-CHANNEL POWER MOSFET

SAMSUNG [S...

IRFR010
IRFR012

英文版

AVALANCHE AND dv/dt RATED

IRF

IRFR012
IRFR012

英文版

AVALANCHE AND dv/dt RATED

IRF [Inter...

IRFR012
IRFR014

英文版

Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)

IRF

IRFR014
IRFR014

英文版

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRFR014
IRFR014

英文版

HEXFET? Power MOSFET

IRFR014
IRFR015

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 6.7A I(D) |...

ETC

IRFR015
IRFR020

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 15A I(D) | ...

ETC

IRFR020
IRFR020

英文版

HEXFETR Power MOSFET

IRF

IRFR020
IRFR020

英文版

HEXFETR Power MOSFET

IRF [Inter...

IRFR020
IRFR022

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | ...

ETC

IRFR022
IRFR024

英文版

HEXFET POWER MOSFET

IRF

IRFR024
IRFR024

英文版

HEXFET? Power MOSFET

IRFR024
IRFR025

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 14A I(D) | ...

ETC

IRFR025
IRFR034

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 23A I(D) | ...

ETC

IRFR034
IRFR110

英文版

HEXFET? Power MOSFET

IRFR110
IRFR110

英文版

HEXFET? Power MOSFETs

IRFR110

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