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LND01K1-G Datasheet

IC型号：
LND01K1-G
PDF描述：
MOSFET N-CH 9V 330MA 5SOT-23
文件大小：
459.00KB
PDF页数：
3页

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LND01K1-G 产品属性

现有数量
0现货查看交期
价格
1 : ￥4.45000剪切带（CT）3,000 : ￥3.69670卷带（TR）
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
9 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
330mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.4 欧姆 @ 100mA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
-
Vgs（最大值）
+0.6V，-12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
46 pF @ 5 V
FET 功能
耗尽模式
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）
工作温度
-25°C ~ 125°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-5
封装/外壳
SC-74A，SOT-753

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型号

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描述

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LND01K1-G

英文版

MOSFET N-CH 9V 330MA 5SOT-23

LND01K1-G

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