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IC Datasheet频道、中国IC资料网

NJW3281G Datasheet

IC型号：
NJW3281G
PDF描述：
Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors
文件大小：
89.46KB
芯片厂家：
ONSEMI [ON Semiconductor]

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上传产品规格书

NJW3281G 产品属性

标准包装
30
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 单路
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
15A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
250V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
600mV @ 800mA，8A
电流 - 集电极截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
75 @ 3A，5V
功率 - 最大
200W
频率 - 转换
30MHz
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
供应商设备封装
TO-3P
包装
管件
其它名称
NJW3281G-NDNJW3281GOS

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型号

版本

描述

厂商

下载
NJW3281G

英文版

Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors

ONSEMI [ON Semi...

NJW3281G
NJW3281-D

英文版

200W TO-3P Sustained Beta Audio Output Transistors

NJW3281-D

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