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PH4840S
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
84.46KB
12 Pages页
PHILIPS [Philips Semiconductors]
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82 ns
21 ns
67 nC V @ 10
3660 pF V @ 10
表面贴装
4.1mm
LFPAK
5 x 4.1 x 1.1mm
5
-55 °C
62500 mW
±20 V
40 V
0.004
94.5 A
+150 °C
1
功率 MOSFET
增强
N
单、三源
5mm
1.1mm
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