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IC Datasheet频道、中国IC资料网

QH8MA4TCR Datasheet

IC型号：
QH8MA4TCR
PDF描述：
MOSFET N/P-CH 30V TSMT8
文件大小：
4470.00KB
PDF页数：
20页

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QH8MA4TCR 产品属性

现有数量
0现货查看交期
价格
1 : ￥7.15000剪切带（CT）3,000 : ￥3.03845卷带（TR）
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A，8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
15.5nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
640pF @ 15V
功率 - 最大值
1.5W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SMD，扁平引线
供应商器件封装
TSMT8

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型号

版本

描述

厂商

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