手机端

手机版

芯视频 APP

微信公众号

维库官方抖音

微信头条号
|
你好，欢迎来到维库电子市场网
登录| 免费注册

IC Datasheet频道、中国IC资料网

QS8J1TR Datasheet

IC型号：
QS8J1TR
PDF描述：
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
文件大小：
185.00KB
PDF页数：
6页

阅览下载纠错 0

扫码查看芯片数据手册

上传产品规格书

QS8J1TR 产品属性

特色产品
ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
-
FET 型
2 个 P 沟道（双）
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
29 毫欧 @ 4.5A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
31nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2450pF @ 6V
功率 - 最大
1.25W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TSMT8
供应商设备封装
TSMT8
包装
带卷 (TR)

QS8J1TR相关型号PDF文件下载

型号

版本

描述

厂商

下载
QS8J1TR

英文版

MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8

QS8J1TR
QS8J4TR

英文版

MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8

QS8J4TR
QS8J13TR

英文版

MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8

QS8J13TR
QS8J11TCR

英文版

MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8

QS8J11TCR

您可能感兴趣的PDF文件资料

热门IC型号推荐