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IC Datasheet频道、中国IC资料网

RCD051N20TL Datasheet

IC型号：
RCD051N20TL
PDF描述：
MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
文件大小：
706.00KB
PDF页数：
14页

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RCD051N20TL 产品属性

现有数量
0现货
价格
2,500 : ￥2.17032卷带（TR）
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
760 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.25V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
8.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
330 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
850mW（Ta），20W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
CPT3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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型号

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描述

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RCD01W

英文版

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