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IC Datasheet频道、中国IC资料网

RMW150N03TB Datasheet

IC型号：
RMW150N03TB
PDF描述：
MOSFET N-CH 30V 15A 8PSOP
文件大小：
505.00KB
PDF页数：
7页

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RMW150N03TB 产品属性

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
15A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
9.1 毫欧 @ 15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
15nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
831pF @ 15V
功率 - 最大
3W
安装类型
*
封装/外壳
8-SMD，扁平引线
供应商设备封装
8-PSOP
包装
带卷 (TR)
其它名称
RMW150N03TBTR

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型号

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描述

厂商

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RMW130N03T...

英文版

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