SI3590DV-T1-E3 Datasheet

  • SI3590DV-T1-E3

  • MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

  • 232.00KB

  • 13页

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SI3590DV-T1-E3 产品属性

  • SI3590DV

  • 3,000

  • 分离式半导体产品

  • FET - 阵列

  • TrenchFET®

  • N 和 P 沟道

  • 逻辑电平门

  • 30V

  • 2.5A,1.7A

  • 77 毫欧 @ 3A,4.5V

  • 1.5V @ 250µA

  • 4.5nC @ 4.5V

  • -

  • 830mW

  • 表面贴装

  • 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)

  • 6-TSOP

  • 带卷 (TR)

  • SI3590DV-T1-E3TR

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