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IC Datasheet频道、中国IC资料网

SIHH21N60EF-T1-GE3 Datasheet

IC型号：
SIHH21N60EF-T1-GE3
PDF描述：
MOSFET N-CHAN 600V 19A POWERPAK
文件大小：
180.00KB
PDF页数：
9页

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上传产品规格书

SIHH21N60EF-T1-GE3 产品属性

现有数量
26现货
价格
1 : ￥45.23000剪切带（CT）3,000 : ￥23.14776卷带（TR）
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
185 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
86 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2035 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
174W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK? 8 x 8
封装/外壳
8-PowerTDFN

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型号

版本

描述

厂商

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SIHH11N60E...

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