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IC Datasheet频道、中国IC资料网

SIR662DP-T1-GE3 Datasheet

IC型号：
SIR662DP-T1-GE3
PDF描述：
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
文件大小：
383.00KB
PDF页数：
13页

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SIR662DP-T1-GE3 产品属性

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
60A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.7 毫欧 @ 20A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
96nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
4390pF @ 30V
功率 - 最大
104W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装
PowerPAK? SO-8
包装
带卷 (TR)
其它名称
SIR662DPSIR662DP-T1-GE3TRSIR662DPTRSIR662DPTR-ND

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型号

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描述

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