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STB55NF06T4 Datasheet

  • STB55NF06T4

  • MOSFET, N CH, 60V, 50A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel...

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  • STMicroelectronics   STMicroelectronics

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STB55NF06 - STB55NF06-1
STP55NF06 - STP55NF06FP
N-channel 60V - 0.015鈩?- 50A - D
2
PAK/I
2
PAK/TO-220/TO-220FP
STripFET鈩?II Power MOSFET
General features
Type
STB55NF06
STB55NF06-1
STP55NF06
STP55NF06FP
V
DSS
60V
60V
60V
60V
R
DS(on)
<0.018鈩?/div>
<0.018鈩?/div>
<0.018鈩?/div>
<0.018鈩?/div>
I
D
50A
3
3
1
50A
50A
50A
(1)
TO-220
1
2
D
2
PAK
1. Refer to soa for the max allowable current value on
FP-type due to Rth value
鈻?/div>
鈻?/div>
100% avalanche tested
Exceptional dv/dt capability
1
2
3
3
12
TO-220FP
I
2
PAK
Description
This Power MOSFET is the latest development of
STMicroelectronis unique "Single Feature Size鈩?quot;
strip-based process. The resulting transistor
shows extremely high packing density for low on-
resistance, rugged avalanche characteristics and
less critical alignment steps therefore a
remarkable manufacturing reproducibility.
Internal schematic diagram
Applications
鈻?/div>
Switching application
Order codes
Part number
STB55NF06T4
STB55NF06-1
STP55NF06FP
STP55NF06
Marking
B55NF06
B55NF06
P55NF06FP
P55NF06
Package
D
2
PAK
I
2
PAK
TO-220FP
TO-220
Packaging
Tape & reel
Tube
Tube
Tube
June 2006
Rev 10
1/18
www.st.com
18

STB55NF06T4 产品属性

  • STB55NF06 View All Specifications

  • 1

  • 分离式半导体产品

  • FET - 单

  • STripFET™

  • MOSFET N 通道，金属氧化物

  • 标准型

  • 60V

  • 50A

  • 18 毫欧 @ 27.5A，10V

  • 4V @ 250µA

  • 60nC @ 10V

  • 1300pF @ 25V

  • 110W

  • 表面贴装

  • TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

  • D2PAK

  • Digi-Reel?

  • 497-6553-6

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  • 型号
    版本
    描述
    厂商
    下载
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    STB5600
  • STB5600
    英文版
    GPS RF FRONT-END IC
    STMicro
    STB5600
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    英文版
    GPS RF FRONT-END IC
    STMicroelectronics
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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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