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IC Datasheet频道、中国IC资料网

STL7N10F7 Datasheet

IC型号：
STL7N10F7
PDF描述：
MOSFET N-CH 100V 7A 8POWERFLAT
文件大小：
870.00KB
PDF页数：
14页

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STL7N10F7 产品属性

现有数量
0现货查看交期
价格
1 : ￥11.29000剪切带（CT）3,000 : ￥4.78907卷带（TR）
系列
DeepGATE?, STripFET? VII
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
35 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
14 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
920 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.9W（Ta），50W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerFlat?（3.3x3.3）
封装/外壳
8-PowerVDFN

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型号

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描述

厂商

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